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誰知道等離子去膠機(jī)的原理?

更新時(shí)間:2021-07-22瀏覽:4227次

 等離子去膠法,去膠氣體為氧氣。其工作原理是將硅片置于真空反應(yīng)系統(tǒng)中,通入少量氧氣,加1500 V高壓,由高頻信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生高頻信號(hào),使石英管內(nèi)形成強(qiáng)的電磁場,使氧氣電離,形成氧離子、活化的氧原子、氧分子和電子等混合物的等離子體的輝光柱?;罨酰ɑ顫姷脑討B(tài)氧)可以迅速地將聚酰亞胺膜氧化成為可揮發(fā)性氣體,被機(jī)械泵抽走,這樣就把硅片上的聚酰亞胺膜去除了。等離子去膠的優(yōu)點(diǎn)是去膠操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔、無劃痕、成本低、環(huán)保.

電介質(zhì)等離子體刻蝕設(shè)備一般使用電容耦合等離子體平行板反應(yīng)器。在平行電極反應(yīng)器中,反應(yīng)離子刻蝕腔體采用了陰極面積小,陽極面積大的不對稱設(shè)計(jì),被刻蝕物是被置于面積較小的電極上。在射頻電源所產(chǎn)生的熱運(yùn)動(dòng)作用下帶負(fù)電的自由電子因質(zhì)量小、運(yùn)動(dòng)速度快,很快到達(dá)陰極;而正離子則由于質(zhì)量大,速度慢不能在相同的時(shí)間內(nèi)到達(dá)陰極, 從而使陰極附近形成了帶負(fù)電的鞘層。正離子在鞘層的加速下,垂直轟擊硅片表面,加快表面的化學(xué)反應(yīng)及反應(yīng)生成物的脫離,導(dǎo)致很高的刻蝕速率。離子轟擊也使各向異性刻蝕得以實(shí)現(xiàn)等離子體去膠的原理和等離子體刻蝕的原理是一致的。不同的是反應(yīng)氣體的種類和等離子體的激發(fā)方式。
 

 

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